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JAN1N6642US/TR
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo de generación PURP 75V 300MA

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/578 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5D
Tiempo de recuperación inverso (trr):
5 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, D
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
300 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Paquete:
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Series:
Militar, MIL-PRF-19500/578 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
5 ns
El Sr.:
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Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, D
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
300 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N6642US/TR
Diodo de 75 V 300 mA montado en la superficie D-5D

Tags:

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