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1N5619E3
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo de generación de energía 600V 1A AXIAL

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
500 μA @ 400 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.6 V @ 3 A
Paquete:
Las demás
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/429: el uso de armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:
25pF @ 12V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, en el eje
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 200 °C
Envase / estuche:
A, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
500 μA @ 400 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.6 V @ 3 A
Paquete:
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Series:
Militar, MIL-PRF-19500/429: el uso de armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:
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Envase / estuche:
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La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
1N5619E3
Diodo 600 V 1A a través del orificio A, axial

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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