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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los equipos de seguridad deberán cumplirse en el caso de los equipos de seguridad.

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Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 36A TO220-2

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Descripción de producto

Resaltar:

Category:	Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes	Product Status:	Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:	200 µA @ 1200 V	Mounting Type:	Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:	1.8 V @ 15 A	Package:	Tape & Reel (TR)
Series:	-	Capacitance @ Vr, F:	906pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:	TO-220-2	Reverse Recovery Time (trr):	0 ns
Mfr:	Microchip Technology	Technology:	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:	-55°C ~ 175°C	Package / Case:	TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):	1200 V	Current - Average Rectified (Io):	36A
Speed:	No Recovery Time > 500mA (Io)	Base Product Number:	MSC015

Category:	Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:	Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:	200 µA @ 1200 V
Mounting Type:	Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:	1.8 V @ 15 A
Package:	Tape & Reel (TR)
Series:	-
Capacitance @ Vr, F:	906pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:	TO-220-2
Reverse Recovery Time (trr):	0 ns
Mfr:	Microchip Technology
Technology:	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:	-55°C ~ 175°C
Package / Case:	TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):	1200 V
Current - Average Rectified (Io):	36A
Speed:	No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:	MSC015