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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

1N6643

Detalles del producto

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Descripción: El objetivo del diodo genético

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Paquete:
Las demás
Series:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Capacidad @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se incluyen en la lista de productos de la categoría "A" los productos de la categoría "A" incluidos
Tiempo de recuperación inverso (trr):
6 años
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
300 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6643
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Paquete:
Las demás
Series:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Capacidad @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se incluyen en la lista de productos de la categoría "A" los productos de la categoría "A" incluidos
Tiempo de recuperación inverso (trr):
6 años
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
300 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6643
1N6643
Diodo de 50 V 300 mA a través del agujero DO-35 (DO-204AH)