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Description: DIODE GEN PURP 800V 1A E3

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 µA @ 800 V
Operating Temperature - Junction:
-65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.3 V @ 3 A
Package:
Tape & Reel (TR)
Series:
Military, MIL-PRF-19500/286
Capacitance @ Vr, F:
-
Supplier Device Package:
E3
Reverse Recovery Time (trr):
5 µs
Mfr:
Microchip Technology
Technology:
Standard
Package / Case:
E3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
800 V
Current - Average Rectified (Io):
1A
Speed:
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
1 µA @ 800 V
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Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
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Package:
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-
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Reverse Recovery Time (trr):
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Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
800 V
Current - Average Rectified (Io):
1A
Speed:
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Diodo 800 V 1A E3

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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