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Descripción: El diodo genético PURP 180V 200MA DO35

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
El DO-35
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
200 mA
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Número del producto de base:
Las demás:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1 V @ 100 mA
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
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Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se aplican las siguientes medidas:
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
200 mA
Velocidad:
Se trata de una señal pequeña = < 200 mA (Io), cualquier velocidad
Número del producto de base:
Las demás:
Las demás:
Diodo 180 V 200 mA a través del agujero DO-35

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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