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En el caso de los productos de la categoría A, el valor de los productos de la categoría A será el valor de los productos de la categoría B.

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Se trata de un sistema de control de la energía.

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/578 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5B
Tiempo de recuperación inverso (trr):
20 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de control.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
300 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/578 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5B
Tiempo de recuperación inverso (trr):
20 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de control.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
300 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
En el caso de los productos de la categoría A, el valor de los productos de la categoría A será el valor de los productos de la categoría B.
Diodo de 100 V 300 mA montado en la superficie D-5B