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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	5 μA @ 50 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	875 mV @ 4 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Serie:	Se aplicará el método de clasificación de los productos.	Capacidad @ Vr, F:	60pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	B, SQ-MELF	Tiempo de recuperación inverso (trr):	30 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	SQ-MELF, B
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	50 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	5 μA @ 50 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	875 mV @ 4 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Serie:	Se aplicará el método de clasificación de los productos.
Capacidad @ Vr, F:	60pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	B, SQ-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):	30 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	SQ-MELF, B
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)