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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 500 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.5 V @ 9 A
Paquete:
Las demás
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
B, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
250 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
B, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
500 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5419
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 500 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.5 V @ 9 A
Paquete:
Las demás
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
B, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
250 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
B, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
500 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5419
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Diodo 500 V 3A a través del orificio B, axial