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Detalles del producto

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Descripción: Diodo de carbono de silício 1.7KV 50A TO247-2

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:
12 μA @ 1700 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Paquete:
El tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
669pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247-2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-247-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
50A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se aplican las siguientes condiciones:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
No para nuevos diseños
Corriente - fuga inversa @ Vr:
12 μA @ 1700 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.8 V @ 10 A
Paquete:
El tubo
Serie:
SiC Schottky MPSTM y sus componentes
Capacidad @ Vr, F:
669pF @ 1V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-247-2
Tiempo de recuperación inverso (trr):
0 años
El Sr.:
Semiconductor GeneSiC
Tecnología:
Sic (carburo de silicio) Schottky
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
TO-247-2
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
50A
Velocidad:
No hay tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Número del producto de base:
Se aplican las siguientes condiciones:
Se aplican las siguientes condiciones:
Diodo 1700 V 50A a través del agujero TO-247-2

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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