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En el caso de los vehículos de motor, el valor de la carga máxima es igual al valor de la carga máxima.

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Descripción: Diodo de generación de energía 125V 300MA D-5D

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán de acuerdo con el método de cálculo de la	Tipo de montaje:	A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.1 V @ 200 mA	Paquete:	Las demás
Serie:	Militar, MIL-PRF-19500/578 Las fuerzas armadas	Capacidad @ Vr, F:	2Se aplicará el procedimiento siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:	D-5D	Tiempo de recuperación inverso (trr):	20 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	D, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Corriente - promedio rectificado (Io):	300 mA
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	1N6638

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán de acuerdo con el método de cálculo de la
Tipo de montaje:	A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.1 V @ 200 mA
Paquete:	Las demás
Serie:	Militar, MIL-PRF-19500/578 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:	2Se aplicará el procedimiento siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:	D-5D
Tiempo de recuperación inverso (trr):	20 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	D, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	300 mA
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	1N6638