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Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
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Descripción: Se aplicará el método de ensayo de los datos.

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 50 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
875 mV @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/477 Las armas de fuego y las armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:
25pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
25 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
A, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 50 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
875 mV @ 1 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/477 Las armas de fuego y las armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:
25pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
25 ns
El Sr.:
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Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
A, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad de los productos.
Diodo 50 V 1A a través del orificio A, axial

Tags:

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