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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N5554US/TR

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Descripción: Diodo genético puro 1KV 3A D-5B

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 9 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5B
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2 μs
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de control.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5554
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 9 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5B
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2 μs
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de control.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5554
1N5554US/TR
Diodo 1000 V 3A montado en la superficie D-5B