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Descripción: Diodo GP 1.1KV 1.4A E Axial

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.6 V @ 1,4 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
E, axial
Tiempo de recuperación inverso (trr):
80 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
E, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.4A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
4 μA @ 1100 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.6 V @ 1,4 A
Paquete:
Las demás
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
E, axial
Tiempo de recuperación inverso (trr):
80 ns
El Sr.:
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Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
E, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.4A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
El número de unidades de producción
Diodo 1100 V 1.4A a través del agujero E, axial

Tags:

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