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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTXV1N5809US

Detalles del producto

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Descripción: Se trata de un sistema de control basado en el control de las emisiones de gases de escape.

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
875 mV @ 4 A
Paquete:
Las demás
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/477 Las armas de fuego y las armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
B, SQ-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, B
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Las demás:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
875 mV @ 4 A
Paquete:
Las demás
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/477 Las armas de fuego y las armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
B, SQ-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, B
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
Las demás:
JANTXV1N5809US
Diodo de 100 V 3A montura de superficie B, SQ-MELF