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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
B, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
250 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Polaridad inversa estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
B, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 100 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.1 V @ 3 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
B, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
250 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Polaridad inversa estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
B, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Diodo 100 V 3A a través del orificio B, axial

Tags:

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