Detalles del producto
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Descripción: Diodo de generación de energía 440V 1.75A D-5B
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
2 μA @ 440 V |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.35 V @ 1,2 A |
Paquete: |
Cintas y bobinas (TR) |
Series: |
Militar, MIL-PRF-19500/590 El ejército es un ejército. |
Capacidad @ Vr, F: |
40pF @ 10V, 1MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
D-5B |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
30 ns |
El Sr.: |
Tecnología de microchips |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-65 °C ~ 150 °C |
Envase / estuche: |
Se trata de una serie de medidas de control. |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Cubiertas |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
1.75A |
Velocidad: |
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Categoría: |
Productos discretos de semiconductores
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos |
estado del producto: |
Actividad |
Corriente - fuga inversa @ Vr: |
2 μA @ 440 V |
Tipo de montaje: |
Montura de la superficie |
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo): |
1.35 V @ 1,2 A |
Paquete: |
Cintas y bobinas (TR) |
Series: |
Militar, MIL-PRF-19500/590 El ejército es un ejército. |
Capacidad @ Vr, F: |
40pF @ 10V, 1MHz |
Paquete de dispositivos del proveedor: |
D-5B |
Tiempo de recuperación inverso (trr): |
30 ns |
El Sr.: |
Tecnología de microchips |
Tecnología: |
Estándar |
Temperatura de funcionamiento - Enlace: |
-65 °C ~ 150 °C |
Envase / estuche: |
Se trata de una serie de medidas de control. |
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo): |
Cubiertas |
Corriente - promedio rectificado (Io): |
1.75A |
Velocidad: |
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io) |