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Se trata de un sistema de control de las emisiones.

Detalles del producto

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Descripción: Diodo genético PURP 440V 2A D-5A

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán de acuerdo con el método de cálculo de la
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1.2 A
Paquete:
Las demás
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/585 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5A
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, A
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Cubiertas
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6621
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán de acuerdo con el método de cálculo de la
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.4 V @ 1.2 A
Paquete:
Las demás
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/585 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5A
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, A
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Cubiertas
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6621
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Diodo 440 V 2A montado en la superficie D-5A