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1N6625US
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo de generación de energía PURP 1.1KV 1A A-MELF

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 1100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.75 V @ 1 A
Paquete:
Las demás
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
A-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
60 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, A
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6625
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
1 μA @ 1100 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.75 V @ 1 A
Paquete:
Las demás
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
A-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
60 ns
El Sr.:
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Tecnología:
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Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, A
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6625
1N6625US
Diodo 1100 V 1A montado en la superficie A-MELF

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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