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En el caso de los vehículos de motor, el valor de la carga máxima es igual al valor de la carga máxima.

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	5 μA @ 50 V	Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	875 mV @ 4 A	Paquete:	Las demás
Series:	Militar, MIL-PRF-19500/477 Las armas de fuego y las armas de fuego	Capacidad @ Vr, F:	65pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	B, en el eje	Tiempo de recuperación inverso (trr):	30 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	B, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	50 V	Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	1N5807

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	5 μA @ 50 V
Tipo de montaje:	Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	875 mV @ 4 A
Paquete:	Las demás
Series:	Militar, MIL-PRF-19500/477 Las armas de fuego y las armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:	65pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:	B, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):	30 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	B, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	1N5807