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JANTXV1N5622US
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: El diodo genético 1KV 1A D-5A

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 3 A
Paquete:
Las demás
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/427 El uso de armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5A
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2 μs
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 200 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, A
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5622
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.3 V @ 3 A
Paquete:
Las demás
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/427 El uso de armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5A
Tiempo de recuperación inverso (trr):
2 μs
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 200 °C
Envase / estuche:
SQ-MELF, A
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La capacidad de recuperación estándar > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N5622
JANTXV1N5622US
Diodo de 1000 V 1A montura de superficie D-5A

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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