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En el caso de los productos de la categoría A, el valor de los productos de la categoría A será el valor de los productos de la categoría B.

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Descripción: Diodo de generación de energía PURP 400V 3A D-5B

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	1 μA @ 400 V	Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.5 V @ 9 A	Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Serie:	Militar, MIL-PRF-19500/411 El uso de armas de fuego	Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	D-5B	Tiempo de recuperación inverso (trr):	150 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	Se trata de una serie de medidas de control.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	1 μA @ 400 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.5 V @ 9 A
Paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Serie:	Militar, MIL-PRF-19500/411 El uso de armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	D-5B
Tiempo de recuperación inverso (trr):	150 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	Se trata de una serie de medidas de control.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)