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Descripción: Diodo de generación de energía 50V 2A AXIAL

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
975 mV @ 2 A
Paquete:
Las demás
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
25 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
A, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
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Actividad
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-55 °C ~ 175 °C
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
975 mV @ 2 A
Paquete:
Las demás
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
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Tiempo de recuperación inverso (trr):
25 ns
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La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
UES1101
Diodo 50 V 2A a través del orificio A, axial

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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