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1N6628US/TR
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo de generación de energía 600V 2.3A D-5B

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.5 V @ 4 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5B
Tiempo de recuperación inverso (trr):
45 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de control.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2.3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6628
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 600 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.5 V @ 4 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5B
Tiempo de recuperación inverso (trr):
45 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de control.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2.3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6628
1N6628US/TR
Diodo de 600 V 2.3A montado en la superficie D-5B

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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