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En el caso de los vehículos de la categoría M1, el valor de los vehículos de la categoría M2 será el mismo.

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Descripción: El diodo genético PURP 600V 3A B axial

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos	estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	1 μA @ 600 V	Tipo de montaje:	A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.5 V @ 9 A	Paquete:	Las demás
Serie:	Militar, MIL-PRF-19500/411 El uso de armas de fuego	Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	B, en el eje	Tiempo de recuperación inverso (trr):	250 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips	Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C	Envase / estuche:	B, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:	Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)	Número del producto de base:	Las demás:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:	Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:	1 μA @ 600 V
Tipo de montaje:	A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):	1.5 V @ 9 A
Paquete:	Las demás
Serie:	Militar, MIL-PRF-19500/411 El uso de armas de fuego
Capacidad @ Vr, F:	-
Paquete de dispositivos del proveedor:	B, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):	250 ns
El Sr.:	Tecnología de microchips
Tecnología:	Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:	-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:	B, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):	Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):	3A
Velocidad:	La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:	Las demás: