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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo genético PURP 660V 1.75A axial

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 660 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.35 V @ 2 A
Paquete:
Las demás
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/590 El ejército es un ejército.
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
E, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
660 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.75A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6628
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 660 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.35 V @ 2 A
Paquete:
Las demás
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/590 El ejército es un ejército.
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
E, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
660 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.75A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6628
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases.
Diodo 660 V 1.75A a través del agujero

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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