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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Diodo de generación PURP 660V 1.75A

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 660 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.35 V @ 2 A
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/590 El ejército es un ejército.
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
E, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
660 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.75A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 660 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.35 V @ 2 A
Paquete:
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Series:
Militar, MIL-PRF-19500/590 El ejército es un ejército.
Capacidad @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
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Envase / estuche:
E, axial
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
660 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.75A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Diodo 660 V 1.75A a través del agujero

Tags:

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