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Se trata de un sistema de control de las emisiones.

Detalles del producto

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Descripción: Diodo de generación de energía 1.1KV 1A axial

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.75 V @ 1 A
Paquete:
Las demás
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/585 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
60 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
A, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6625
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.75 V @ 1 A
Paquete:
Las demás
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/585 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
60 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 150 °C
Envase / estuche:
A, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
1a
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6625
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Diodo 1100 V 1A a través del orificio A, axial