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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 50 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.76 V @ 18.8 A
Paquete:
Las demás
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 155 °C
Envase / estuche:
A, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6076
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
5 μA @ 50 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.76 V @ 18.8 A
Paquete:
Las demás
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, en el eje
Tiempo de recuperación inverso (trr):
30 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 155 °C
Envase / estuche:
A, en el eje
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
50 V
Corriente - promedio rectificado (Io):
1.3A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número del producto de base:
1N6076
1N6076
Diodo 50 V 1.3A a través del orificio A, axial

Tags:

Componentes electrónicos del OEM STM32L073V8T6,

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