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El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos.

Detalles del producto

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Descripción: Diodo de generación de energía PURP 75V 200MA UB

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/116 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de
Tiempo de recuperación inverso (trr):
20 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 200 °C
Envase / estuche:
3-SMD, sin plomo
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
200 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/116 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:
4pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de
Tiempo de recuperación inverso (trr):
20 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 200 °C
Envase / estuche:
3-SMD, sin plomo
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
200 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
El objetivo de las medidas de seguridad es garantizar la seguridad de los vehículos.
Diodo 75 V 200 mA montado en superficie UB