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Las condiciones de ensayo de los vehículos de las categorías A y B se determinarán en el anexo I.

Detalles del producto

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Descripción: Diodo genético puro 100V 2.5A A-MELF

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 100 V
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
150°C (máximo)
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
3Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
A-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
25 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
SQ-MELF, A
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2.5A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
2 μA @ 100 V
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
150°C (máximo)
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Capacidad @ Vr, F:
3Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
A-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
25 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
SQ-MELF, A
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2.5A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Las condiciones de ensayo de los vehículos de las categorías A y B se determinarán en el anexo I.
Diodo de 100 V 2.5A montado en la superficie A-MELF