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En el caso de las personas que no tengan acceso a los servicios de seguridad.

Detalles del producto

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Descripción: Diodo de generación PURP 125V 300MA D-5B

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas de los Estados miembros
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Paquete:
Las demás
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/578 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5B
Tiempo de recuperación inverso (trr):
6 años
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de control.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
300 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Corriente - fuga inversa @ Vr:
Las emisiones de CO2 de las centrales eléctricas de los Estados miembros
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.2 V @ 100 mA
Paquete:
Las demás
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/578 Las fuerzas armadas
Capacidad @ Vr, F:
5pF @ 0V, 1MHz
Paquete de dispositivos del proveedor:
D-5B
Tiempo de recuperación inverso (trr):
6 años
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-65 °C ~ 175 °C
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de control.
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
300 mA
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
En el caso de las personas que no tengan acceso a los servicios de seguridad.
Diodo 125 V 300 mA Montaje de superficie D-5B