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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Descripción: Diodo de generación de energía PURP 300V 2A A SQ-MELF

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.25 V @ 1 A
Paquete:
Las demás
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, SQ-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
50 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
SQ-MELF, A
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Diodos Rectificadores Diodos únicos
estado del producto:
Actividad
Temperatura de funcionamiento - Enlace:
-
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Voltado - hacia adelante (Vf) (máximo):
1.25 V @ 1 A
Paquete:
Las demás
Serie:
-
Capacidad @ Vr, F:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
A, SQ-MELF
Tiempo de recuperación inverso (trr):
50 ns
El Sr.:
Tecnología de microchips
Tecnología:
Estándar
Envase / estuche:
SQ-MELF, A
La tensión - DC inversa (Vr) (máximo):
Las demás:
Corriente - promedio rectificado (Io):
2A
Velocidad:
La velocidad de recuperación es < 500 ns, > 200 mA (Io)
Se aplicarán las disposiciones siguientes:
Diodo de 300 V 2A montado en la superficie A, SQ-MELF