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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2
El Sr.:
NXP EE.UU. Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
3 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Potencia - máximo:
400 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
8pF @ 10V (VGS)
Resistencia - RDS (encendido):
125 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
J175 El tratamiento de las células
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Cintas y cajas (TB)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2
El Sr.:
NXP EE.UU. Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
3 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Potencia - máximo:
400 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
8pF @ 10V (VGS)
Resistencia - RDS (encendido):
125 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
J175 El tratamiento de las células
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
J175,116
JFET Canal P 30 V 400 mW a través del agujero TO-92-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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