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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de las que se trate se calculará en

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
20 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
Cintas y cajas (TB)
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Dren actual (identificación) - máxima:
1 mA
El Sr.:
en semi
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3.5pF @ 5V
Potencia - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Número del producto de base:
FJN 598
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
20 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
Cintas y cajas (TB)
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Dren actual (identificación) - máxima:
1 mA
El Sr.:
en semi
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3.5pF @ 5V
Potencia - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Número del producto de base:
FJN 598
FJN598JATA
JFET N-Canal 20 V 1 mA 150 mW a través del agujero TO-92-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

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