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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
En bruto
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
4 V @ 500 pA
Paquete de dispositivos del proveedor:
3-UB (3.09x2.45)
Envase / estuche:
3-SMD, sin plomo
Potencia - máximo:
360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Número del producto de base:
2N4858
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
En bruto
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
4 V @ 500 pA
Paquete de dispositivos del proveedor:
3-UB (3.09x2.45)
Envase / estuche:
3-SMD, sin plomo
Potencia - máximo:
360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Número del producto de base:
2N4858
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Se aplicarán los siguientes requisitos:
JFET N-Channel 40 V 360 mW Montaje de superficie 3-UB (3.09x2.45)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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