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Los Estados miembros podrán adoptar medidas de seguridad en caso de que se produzca un accidente.

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Descripción de producto

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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET	Tipo de FET:	N-canal
Estado del producto:	No está disponible	Voltaje - avería (V (BR) GSS):	Las demás:
Tipo de montaje:	A través del agujero	paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Serie:	-	Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	20 mA @ 15 V
El Sr.:	en semi	Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	3 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3	Envase / estuche:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)	Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	-
Potencia - máximo:	625 mW	Resistencia - RDS (encendido):	30 ohmios
Número del producto de base:	El contenido de nitrato de sodio es:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:	N-canal
Estado del producto:	No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):	Las demás:
Tipo de montaje:	A través del agujero
paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Serie:	-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	20 mA @ 15 V
El Sr.:	en semi
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	3 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3
Envase / estuche:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	-
Potencia - máximo:	625 mW
Resistencia - RDS (encendido):	30 ohmios
Número del producto de base:	El contenido de nitrato de sodio es: