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MQ2N4857UB
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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de las que se trate se calculará en

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2 V @ 500 pA
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método de cálculo de la velocidad.
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Potencia - máximo:
360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
40 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
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40 V
Tipo de montaje:
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2 V @ 500 pA
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Potencia - máximo:
360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
40 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
MQ2N4857UB
JFET N-Canal 40 V 360 mW a través del agujero TO-18 (TO-206AA)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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